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Microsemi Corporation APT35GP120B2DQ2G

Artikelnummer
APT35GP120B2DQ2G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 1200V 96A 543W TMAX
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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  • 100 pcs

    8.38430/pcs
  • 250 pcs

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Gesamt:10.85000/pcs Unit Price:
10.85000/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer APT35GP120B2DQ2G
Teilstatus Active
IGBT-Typ PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 96A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 140A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 35A
Leistung max 543W
Energie wechseln 750µJ (on), 680µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 150nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 16ns/95ns
Testbedingung 600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3 Variant
Lieferantengerätepaket -
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