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| Artikelnummer | APT25GT120BRDQ2G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 54A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 75A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 25A |
| Leistung max | 347W |
| Energie wechseln | 930µJ (on), 720µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 170nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 14ns/150ns |
| Testbedingung | 800V, 25A, 5 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: PWR MOD IGBT4 1200V SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 67A 272W TMAX
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 67A 272W TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 67A 272W D3PAK
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 69A 417W TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 69A 417W TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 900V 72A 417W TO247
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 900V 72A 417W TO247
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: IGBT 1200V 75A 521W TO247
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