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| Artikelnummer | APT15GP90BG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 900V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 43A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 60A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 15A |
| Leistung max | 250W |
| Energie wechseln | 200µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 60nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 9ns/33ns |
| Testbedingung | 600V, 15A, 4.3 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
Auf Lager: 0
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
Auf Lager: 30
