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| Artikelnummer | IRFP4710PBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 72A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6160pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 190W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 45A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AC |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC
Auf Lager: 1740
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 57A TO-247AC
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC
Auf Lager: 2631
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
Auf Lager: 1299
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC
Auf Lager: 387
