Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln IPD30N06S2-15

Infineon Technologies IPD30N06S2-15

Artikelnummer
IPD30N06S2-15
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Produktparameter
Artikelnummer IPD30N06S2-15
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 55V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 80µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1485pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 136W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 14.7 mOhm @ 30A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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