Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Module GSID200A120S5C1

Global Power Technologies Group GSID200A120S5C1

Artikelnummer
GSID200A120S5C1
Hersteller
Global Power Technologies Group
Beschreibung
IGBT MODULE 1200V 335A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

global power technologies group, inc. is an integrated development and manufacturing company dedicated to products based on silicon carbide (sic) technologies.

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    94.39500/pcs
  • 10 pcs

    89.83800/pcs
  • 25 pcs

    86.80000/pcs
Gesamt:94.39500/pcs Unit Price:
94.39500/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer GSID200A120S5C1
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 335A
Leistung max -
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 22.4nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
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