Artikelnummer | GSID200A120S5C1 |
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Teilstatus | Active |
IGBT-Typ | - |
Aufbau | Three Phase Inverter |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 335A |
Leistung max | - |
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 200A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 1mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 22.4nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | Yes |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / Fall | Module |
Lieferantengerätepaket | Module |
Hersteller: Global Power Technologies Group
Beschreibung: SILICON IGBT MODULES
Auf Lager: 0
Hersteller: Global Power Technologies Group
Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 335A
Auf Lager: 9
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