Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln ZXTP2012ZTA

Diodes Incorporated ZXTP2012ZTA

Artikelnummer
ZXTP2012ZTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANS PNP 60V 4.3A SOT89
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Produktparameter
Artikelnummer ZXTP2012ZTA
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 4.3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 215mV @ 500mA, 5A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 20nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 1V
Leistung max 1.5W
Frequenz - Übergang 120MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-243AA
Lieferantengerätepaket SOT-89-3
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