Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln ZXTN2007GTA

Diodes Incorporated ZXTN2007GTA

Artikelnummer
ZXTN2007GTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANS NPN 30V 7A SOT223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Gesamt:0.20625/pcs Unit Price:
0.20625/pcs
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Menge:
Produktparameter
Artikelnummer ZXTN2007GTA
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 7A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 30V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 220mV @ 300mA, 6.5A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1A, 1V
Leistung max 3W
Frequenz - Übergang 140MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Lieferantengerätepaket SOT-223
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