Artikelnummer | ZXTDBM832TA |
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Teilstatus | Obsolete |
Transistor-Typ | 2 NPN (Dual) |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 4.5A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 20V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 270mV @ 125mA, 4.5A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 25nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2A, 2V |
Leistung max | 1.7W |
Frequenz - Übergang | 140MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-VDFN Exposed Pad |
Lieferantengerätepaket | 8-MLP (3x2) |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6
Auf Lager: 6000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS 2PNP 20V 3.5A 8MLP
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 40V 2A/1.5A 8MLP
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS 2NPN 15V 4.5A 8DFN
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