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| Artikelnummer | MMDT4126-7 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Transistor-Typ | 2 PNP (Dual) |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 200mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 25V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 1V |
| Leistung max | 200mW |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-363 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363
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Hersteller: Micro Commercial Co
Beschreibung: TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT563
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Hersteller: Micro Commercial Co
Beschreibung: TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT563
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 40V/60V SOT363
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 40V/60V SOT363
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 40V/60V 0.6A SOT26
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS 2PNP 60V 0.6A SOT363
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS 2PNP 60V 0.6A SOT363
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