Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln DXT2011P5-13

Diodes Incorporated DXT2011P5-13

Artikelnummer
DXT2011P5-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANS NPN 100V 6A POWERDI5
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Produktparameter
Artikelnummer DXT2011P5-13
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 6A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 100V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 220mV @ 500mA, 5A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 20nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 2V
Leistung max 3.2W
Frequenz - Übergang 130MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall PowerDI™ 5
Lieferantengerätepaket PowerDI™ 5
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