Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln DNLS350E-13

Diodes Incorporated DNLS350E-13

Artikelnummer
DNLS350E-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANS NPN 50V 3A SOT-223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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0.06806/pcs
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Menge:
Produktparameter
Artikelnummer DNLS350E-13
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 290mV @ 200mA, 2A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 2V
Leistung max 1W
Frequenz - Übergang 100MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Lieferantengerätepaket SOT-223
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