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| Artikelnummer | DN0150BDJ-7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | 2 NPN (Dual) |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Leistung max | 300mW |
| Frequenz - Übergang | 60MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-963 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-963 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT963
Auf Lager: 20000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT963
Auf Lager: 30000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS NPN 50V 0.1A X1-DFN1006-3
Auf Lager: 3000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
Auf Lager: 110000
