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| Artikelnummer | DMN4060SVT-7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 45V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.8A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 22.4nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1287pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.2W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 4.3A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TSOT-26 |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 18A DPAK
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 8A U-DFN2020-6
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 6-UDFN
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 8-SOIC
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 28A TO252
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