Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung DDTC122LE-7-F

Diodes Incorporated DDTC122LE-7-F

Artikelnummer
DDTC122LE-7-F
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Produktparameter
Artikelnummer DDTC122LE-7-F
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 220
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 200MHz
Leistung max 150mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-523
Lieferantengerätepaket SOT-523
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