Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays BC856AS-7

Diodes Incorporated BC856AS-7

Artikelnummer
BC856AS-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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0.04950/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer BC856AS-7
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 PNP (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 65V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 15nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 2mA, 5V
Leistung max 200mW
Frequenz - Übergang 100MHz
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SOT-363
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