Artikelnummer | BAV116HWFQ-7 |
---|---|
Teilstatus | Active |
Dioden-Typ | Standard |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 85V |
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 215mA (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 3µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5nA @ 75V |
Kapazität @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | SOD-123F |
Lieferantengerätepaket | SOD-123F |
Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 150°C |
Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80
Auf Lager: 2500
Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80
Auf Lager: 0
Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80
Auf Lager: 0
Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80
Auf Lager: 0
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS
Auf Lager: 0
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS
Auf Lager: 0
Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80
Auf Lager: 5000
Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD80
Auf Lager: 0