Artikelnummer | CY7C1041GE30-10BVXI |
---|---|
Teilstatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Asynchronous |
Speichergröße | 4Mb (256K x 16) |
Taktfrequenz | - |
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | 10ns |
Zugriffszeit | 10ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 3 V ~ 3.6 V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 48-VFBGA |
Lieferantengerätepaket | 48-VFBGA (6x8) |
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: IC SRAM 4MBIT 15NS 44SOJ
Auf Lager: 0
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: IC SRAM 4MBIT 15NS 44TSOP
Auf Lager: 0
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: IC SRAM 4MBIT 15NS 44TSOP
Auf Lager: 0
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: IC SRAM 4MBIT 20NS 44TSOP
Auf Lager: 200
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: IC SRAM 4MBIT 20NS 44TSOP
Auf Lager: 0
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: IC SRAM 4MBIT 15NS 44TSOP
Auf Lager: 0
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: IC SRAM 4MBIT 15NS 44TSOP
Auf Lager: 0
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: IC SRAM 4MBIT 20NS 44SOJ
Auf Lager: 0
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: IC SRAM 4MBIT 20NS 44SOJ
Auf Lager: 0
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: IC SRAM 4MBIT 12NS 44SOJ
Auf Lager: 0