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| Número da peça | TK8A55DA(STA4,Q,M) |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 550V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Ta) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.07 Ohm @ 3.8A, 10V |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-220SIS |
| Pacote / Caso | TO-220-3 Full Pack |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 550V 7.5A TO-220SIS
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