Toshiba Semiconductor and Storage TK100L60W,VQ

Número da peça: TK100L60W,VQ
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
Status sem chumbo / status de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Família: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Toshiba Semiconductor and Storage

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(Em dólares americanos)
1 pcs
17.16000/pcs
10 pcs
15.87300/pcs
100 pcs
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Total:17.16000/pcs

Unit Price:

17.16000/pcs

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Quantidade:

Parâmetro do produto

Número da peça	TK100L60W,VQ
Status da Parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)	600V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	100A (Ta)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	360nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	15000pF @ 30V
Vgs (Max)	±30V
FET Feature	Super Junction
Dissipação de energia (máx.)	797W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 50A, 10V
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos de fornecedores	TO-3P(L)
Pacote / Caso	TO-3PL