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| Número da peça | TJ15P04M3,RQ(S |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 40V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 15A (Ta) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 29W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | DPAK |
| Pacote / Caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET P-CH 40V 15A DPAK-3
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