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| Número da peça | NTD12N10T4 |
|---|---|
| Status da Parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 100V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 6A, 10V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | DPAK-3 |
| Pacote / Caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Fabricante: ON Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK
Em estoque: 0
Fabricante: ON Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK
Em estoque: 0
Fabricante: ON Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 24V 100A DPAK
Em estoque: 0
Fabricante: ON Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
Em estoque: 2500
