Infineon Technologies IPP041N12N3 G

Número da peça: IPP041N12N3 G
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Status sem chumbo / status de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Família: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Infineon Technologies

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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1 pcs
2.81500/pcs
10 pcs
2.65650/pcs
100 pcs
2.17835/pcs
500 pcs
1.76392/pcs
1,000 pcs
1.48764/pcs

Total:2.81500/pcs

Unit Price:

2.81500/pcs

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Quantidade:

Parâmetro do produto

Número da peça	IPP041N12N3 G
Status da Parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)	120V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	211nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	13800pF @ 60V
Vgs (Max)	±20V
FET Feature	-
Dissipação de energia (máx.)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.1 mOhm @ 100A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-TO-220-3
Pacote / Caso	TO-220-3