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| Número da peça | IPD50R3K0CEAUMA1 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 500V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Tc) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 13V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 30µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 84pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 26W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 400mA, 13V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | PG-TO252-3 |
| Pacote / Caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 550V 18.1A TO252
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET NCH 500V 14.1A TO252
Em estoque: 0
