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| Número da peça | IPD200N15N3GATMA1 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 150V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 8V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1820pF @ 75V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 50A, 10V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | PG-TO252-3 |
| Pacote / Caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Em estoque: 7500
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Em estoque: 0
