Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPA028N08N3 G

Infineon Technologies IPA028N08N3 G

Número da peça
IPA028N08N3 G
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 80V 89A TO220-3
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Em estoque $ Quantidade pcs
  • Preço de referência

    (Em dólares americanos)
  • 1 pcs

    2.99500/pcs
  • 10 pcs

    2.82550/pcs
  • 100 pcs

    2.31690/pcs
  • 500 pcs

    1.87612/pcs
  • 1,000 pcs

    1.58228/pcs
Total:2.99500/pcs Unit Price:
2.99500/pcs
Preço alvo:
Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça IPA028N08N3 G
Status da Parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 80V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 89A (Tc)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 206nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 14200pF @ 40V
Vgs (Max) ±20V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 89A, 10V
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO220-FP
Pacote / Caso TO-220-3 Full Pack
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Fabricante: Infineon Technologies

Descrição: MOSFET N-CH 80V 89A TO220-3

Em estoque: 774

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