Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Single DMN3110LCP3-7

Diodes Incorporated DMN3110LCP3-7

Número da peça
DMN3110LCP3-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descrição
MOSFET BVDSS: 25V 30V X2-DSN1006
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Parâmetro do produto
Número da peça DMN3110LCP3-7
Status da Parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 3.2A (Ta)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) 1.8V, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.52nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 15V
Vgs (Max) 12V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 1.38W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 69 mOhm @ 500mA, 8V
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores X2-DFN1006-3
Pacote / Caso 3-XFDFN
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