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부품 번호 | TH58NYG3S0HBAI6 |
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부품 상태 | Active |
메모리 유형 | Non-Volatile |
메모리 형식 | EEPROM |
과학 기술 | EEPROM - NAND |
메모리 크기 | 8Gb (1G x 8) |
클럭 주파수 | - |
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 25ns |
액세스 시간 | 25ns |
메모리 인터페이스 | Parallel |
전압 - 공급 | 1.7 V ~ 1.95 V |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
실장 형 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | 67-VFBGA |
공급 업체 장치 패키지 | 67-VFBGA (6.5x8) |
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP
재고: 79
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP
재고: 127
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: 16GB SLC NAND TSOP 24NM 4K PAGE
재고: 72
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: 16GB SLC NAND TSOP 24NM 4K PAGE
재고: 0
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: IC EEPROM 32GBIT 25NS 48TSOP
재고: 228