제품 색인 집적 회로(IC) 메모리 MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR

Micron Technology Inc. MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR

부품 번호
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR
제조사
Micron Technology Inc.
기술
IC FLASH 2TBIT 333MHZ 132LBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
메모리
Micron Technology Inc

Micron Technology Inc

micron technology dram and flash components are used in today's most advanced computing, networking, and communications products.

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제품 매개 변수
부품 번호 MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR
부품 상태 Active
메모리 유형 Non-Volatile
메모리 형식 FLASH
과학 기술 FLASH - NAND
메모리 크기 2Tb (256G x 8)
클럭 주파수 333MHz
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 -
액세스 시간 -
메모리 인터페이스 Parallel
전압 - 공급 2.5 V ~ 3.6 V
작동 온도 0°C ~ 70°C (TA)
실장 형 -
패키지 / 케이스 -
공급 업체 장치 패키지 -
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