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| 部品番号 | TPCC8005-H(TE12LQM |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 26A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.3V @ 500µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 35nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2900pF @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 700mW (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 6.4 mOhm @ 13A, 10V |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSON |
| パッケージ/ケース | 8-VDFN Exposed Pad |
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
説明: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
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説明: MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON
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