ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル SI4800,518

NXP USA Inc. SI4800,518

部品番号
SI4800,518
メーカー
NXP USA Inc.
説明
MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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製品パラメータ
部品番号 SI4800,518
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 800mV @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 11.8nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 18.5 mOhm @ 9A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
関連製品
SI4800,518

メーカー: NXP USA Inc.

説明: MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

在庫あり: 0

RFQ -
SI4800BDY-T1-E3

メーカー: Vishay Siliconix

説明: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

在庫あり: 0

RFQ 0.13797/pcs
SI4800BDY-T1-GE3

メーカー: Vishay Siliconix

説明: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

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RFQ 0.13797/pcs
SI4804BDY-T1-E3

メーカー: Vishay Siliconix

説明: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

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RFQ -
SI4804BDY-T1-GE3

メーカー: Vishay Siliconix

説明: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

在庫あり: 0

RFQ -
SI4804CDY-T1-E3

メーカー: Vishay Siliconix

説明: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

在庫あり: 0

RFQ 0.15152/pcs
SI4804CDY-T1-GE3

メーカー: Vishay Siliconix

説明: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

在庫あり: 3330

RFQ 0.40500/pcs
SI4808DY-T1-E3

メーカー: Vishay Siliconix

説明: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

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RFQ 0.45293/pcs
SI4808DY-T1-GE3

メーカー: Vishay Siliconix

説明: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

在庫あり: 0

RFQ 0.45293/pcs
SI4812BDY-T1-E3

メーカー: Vishay Siliconix

説明: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

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RFQ 0.27720/pcs