部品番号 | BSS192,135 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 240V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 200mA (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.8V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | - |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 90pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 560mW (Ta), 12.5W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 12 Ohm @ 200mA, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-89-3 |
パッケージ/ケース | TO-243AA |
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
在庫あり: 3000
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
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