部品番号 | BSH111BKR |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 55V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 210mA (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1.3V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 0.5nC @ 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 30pF @ 30V |
Vgs(最大) | ±10V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 302mW (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 4 Ohm @ 200mA, 4.5V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-236AB (SOT23) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |