ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル IXFH10N100P

IXYS IXFH10N100P

部品番号
IXFH10N100P
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
IXYS

IXYS

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3.35500/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 IXFH10N100P
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1000V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 10A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 6.5V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 56nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3030pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 380W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.4 Ohm @ 5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247AD (IXFH)
パッケージ/ケース TO-247-3
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