ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル IRF6618TRPBF

Infineon Technologies IRF6618TRPBF

部品番号
IRF6618TRPBF
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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製品パラメータ
部品番号 IRF6618TRPBF
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 30A (Ta), 170A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.35V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 65nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 5640pF @ 15V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 2.2 mOhm @ 30A, 10V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ DIRECTFET™ MT
パッケージ/ケース DirectFET™ Isometric MT
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