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| 部品番号 | IPD50R380CEATMA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 500V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.9A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 13V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.5V @ 260µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 24.8nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 584pF @ 100V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 98W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 380 mOhm @ 3.2A, 13V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
在庫あり: 0
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
在庫あり: 0
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 550V 18.1A TO252
在庫あり: 0
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252
在庫あり: 0
