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| 部品番号 | BSC082N10LSGATMA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Not For New Designs |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 13.8A (Ta), 100A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.4V @ 110µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 104nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7400pF @ 50V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 156W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 8.2 mOhm @ 100A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8 |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
在庫あり: 20000
