vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.
| Numero di parte | SISA34DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | +20V, -16V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 20.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 10A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8 |
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8
Disponibile: 0
