Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array SI3932DV-T1-GE3

Vishay Siliconix SI3932DV-T1-GE3

Numero di parte
SI3932DV-T1-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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In stock 67500 pz
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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte SI3932DV-T1-GE3
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 235pF @ 15V
Potenza - Max 1.4W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP
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fabbricante: Vishay Siliconix

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOP

Disponibile: 27000

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