Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli SI1441EDH-T1-GE3

Vishay Siliconix SI1441EDH-T1-GE3

Numero di parte
SI1441EDH-T1-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte SI1441EDH-T1-GE3
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (massimo) ±10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 5A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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fabbricante: Vishay Siliconix

Descrizione: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363

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