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Numero di parte | SSM3J132TU,LF |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.4A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.2V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 10V |
Vgs (massimo) | ±6V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 5A, 4.5V |
temperatura di esercizio | 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | UFM |
Pacchetto / caso | 3-SMD, Flat Leads |
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P-CHANNEL 30V 2A 3SMD
Disponibile: 3000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
Disponibile: 3000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 4A UFM
Disponibile: 21000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
Disponibile: 24000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 5.5A
Disponibile: 12000