Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Array HN1A01FE-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE-Y,LF

Numero di parte
HN1A01FE-Y,LF
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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In stock 20000 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.01811/pcs
  • 4,000 pcs

    0.01811/pcs
  • 8,000 pcs

    0.01575/pcs
  • 12,000 pcs

    0.01339/pcs
  • 28,000 pcs

    0.01260/pcs
  • 100,000 pcs

    0.01050/pcs
Totale:0.01811/pcs Unit Price:
0.01811/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte HN1A01FE-Y,LF
Stato parte Active
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V
Potenza - Max 100mW
Frequenza - Transizione 80MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore ES6
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