Numero di parte | CRG0402F56R |
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Stato parte | Active |
Resistenza (ohm) | 56 |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 0.063W, 1/16W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | 0402 (1005 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0402 |
Dimensione / Dimensione | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.016" (0.40mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 700MA SFLAT
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 700MA SFLAT
Disponibile: 0
fabbricante: TE Connectivity Passive Product
Descrizione: RES SMD 100K OHM 1% 1/20W 0201
Disponibile: 0
fabbricante: TE Connectivity Passive Product
Descrizione: RES SMD 100 OHM 1% 1/20W 0201
Disponibile: 0
fabbricante: TE Connectivity Passive Product
Descrizione: RES SMD 105K OHM 1% 1/20W 0201
Disponibile: 0
fabbricante: TE Connectivity Passive Product
Descrizione: RES SMD 105 OHM 1% 1/20W 0201
Disponibile: 0
fabbricante: TE Connectivity Passive Product
Descrizione: RES SMD 10K OHM 1% 1/20W 0201
Disponibile: 0
fabbricante: TE Connectivity Passive Product
Descrizione: RES SMD 10.5K OHM 1% 1/20W 0201
Disponibile: 0
fabbricante: TE Connectivity Passive Product
Descrizione: RES SMD 10 OHM 1% 1/20W 0201
Disponibile: 0
fabbricante: TE Connectivity Passive Product
Descrizione: RES SMD 10.5 OHM 1% 1/20W 0201
Disponibile: 0