Numero di parte | JAN1N5309-1 |
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Stato parte | Active |
Funzione | Current Regulator |
Metodo di sensing | - |
Precisione | ±10% |
Tensione - Ingresso | 100V (Max) |
Corrente - Uscita | 3mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AA, DO-7, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-7 |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Disponibile: 0