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| Numero di parte | IXTT10P50 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4700pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-268 |
| Pacchetto / caso | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263
Disponibile: 29
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263
Disponibile: 55
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263
Disponibile: 550
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK
Disponibile: 107
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263
Disponibile: 0
