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| Numero di parte | IXFN55N50 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 55A |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9400pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 625W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 27.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
| Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
Disponibile: 142
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA
Disponibile: 0
