Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IRFL4315PBF

Infineon Technologies IRFL4315PBF

Numero di parte
IRFL4315PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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In stock 6722 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.47500/pcs
  • 10 pcs

    0.44800/pcs
  • 100 pcs

    0.35410/pcs
  • 500 pcs

    0.27463/pcs
  • 1,000 pcs

    0.21681/pcs
Totale:0.47500/pcs Unit Price:
0.47500/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte IRFL4315PBF
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185 mOhm @ 1.6A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA
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