Numero di parte | IRFL4310TRPBF |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1.6A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 100V SOT-223
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Disponibile: 40000
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
Disponibile: 2689
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
Disponibile: 0