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| Numero di parte | IRFL4310PBF |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / caso | - |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Disponibile: 2500
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Disponibile: 4468
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Disponibile: 2500
