Numero di parte | IRFB4229PBF |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 46A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4560pF @ 25V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 330W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 26A, 10V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB
Disponibile: 1691
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB
Disponibile: 965
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 16A TO-220AB
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB
Disponibile: 1598